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华体会hth体育最新登录-ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
2025年6月3日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不
2025-10-11 -
华体会hth体育最新登录-格芯追加投资160亿美元，推动基本芯片制造回流
当地时间6月4日，格芯（GlobalFoundries）宣布计划在美国投资160亿美元（约合人民币1150亿元），以扩大其在纽约和佛蒙特两州工厂的半导体制造和先进封装能力，推动基本芯片制造回流。据悉，格芯的新一轮投资分为两部分，其中超过130亿美元用于扩建和现代化其纽约和佛蒙特州的设施并为新成立的纽
2025-10-11 -
华体会hth体育最新登录-美光推出基于1γ节点的LPDDR5x DRAM内存
当地时间6月3日，美光宣布率先推出基于第六代10nm级制程（美光命名为1γ）的LPDDR5x DRAM内存。该种工艺特征尺寸约为11到12纳米，也被称为1c DRAM。美光指出，1γ节点的LPDDR5X是其首款采用极紫外光刻（EUV）技术的移动内存解决方案。可实现业界一流的10.7Gbps数据传输速
2025-10-10 -
华体会hth体育最新登录-南亚科定制内存项目有望2026年取得验证
据台媒报道，南亚科技正在AI DRAM加速布局，力争在三大原厂全力争夺HBM市场的环境下，从定制领域分得一杯羹。南亚科技总经理李培瑛表示，AI应用内存的四大关键元素分别是高密度先进DRAM、3D TSV硅通孔工艺与多芯片封装、HBM设计能力、逻辑Base Die。南亚科技目前已完成高密度先进DRAM
2025-10-10 -
华体会hth体育最新登录-我国首条光子芯片中试线实现量产
据“无锡科技”公众号消息，日前，无锡光量子芯片中试平台顺利下线首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，同时超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片也实现规模化量产。据悉，上海交大无锡光子芯片研究院于2022年底破土动工，并率先启动国内首条光子芯片中试线建设。上海交大无锡光子芯片研究院院长金贤敏表示，无
2025-10-10
